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如何選擇集成電路芯片高低溫試驗箱

發(fā)布時間: 2020-09-23  點擊次數: 1039次

    集成電路芯片是包括一硅基板、至少一電路、一固定封環(huán)、一接地環(huán)及至少一防護環(huán)的電子元件。目前芯片市場需求更大,那么做集成電路芯片生產廠家,同時大量需求到皓天環(huán)境測試設備:高低溫試驗箱,可程式恒溫恒濕試驗箱,冷熱沖擊試驗箱,快速溫變試驗箱..........

如何選擇集成電路芯片高低溫試驗箱

1、芯片廠家需求多大內容積高低溫試驗箱;

2、設備溫度范圍

3、濕度范圍

4、集成器負載數量

高低溫試驗箱專業(yè)廠家根據客戶要求推薦如下

1.產品名稱

高低溫試驗箱

2.產品型號

SMC-40PF

3.試樣限制

本試驗設備禁止:

①易燃、易爆、易揮發(fā)性物質試樣的試驗或儲存

②腐蝕性物質試樣的試驗或儲存

③生物試樣的試驗或儲存

④強電磁發(fā)射源試樣的試驗或儲存

4.容積、尺寸和重量

4.1.標稱內容積

40L

4.2.內型尺寸

W345*H395*D300mm

4.3.外型尺寸

W580*H850*D1150mm

4.4.重量

約180㎏

5.性能

 

5.1.測試環(huán)境條件

5.2.測試方法

環(huán)境溫度為+25℃、相對濕度≤85%、試驗箱內無試樣條件下

GB/T 5170.2-1996 溫度試驗設備。

5.3.溫度范圍

-40℃→+150℃(可任意設定)

5.4.濕度范圍

20%RH→98%RH (可任意設定)

5.5.溫度波動度

±0.5℃

5.6.濕度波動度

±1%

5.7.溫度偏差

±1.0℃

5.8.濕度偏差

±3%RH

5.9.升溫時間

升溫時間:+20℃~+150℃35min(非線性空載,升溫速率3~5℃)

5.10.降溫時間

降溫時間:+20℃~-40℃55min(非線性空載,降溫速率1~1.2)

5.11.負載情況

空載

5.12.滿足試驗標準

①GB/T 2423.1-2006 試驗A:低溫試驗方法

②GB/T 2423.2-2006 試驗B:高溫試驗方法

③GJB 150.3-1986   高溫試驗

④GJB 150.4-1986   低溫試驗

⑤IEC68-2-1 試驗A:寒冷.

⑥GB 11158《高溫試驗箱技術條件》

⑦GB/T 2423.2《電工電子產品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗B:高溫試驗方法》.

⑧GB/T10586-89  濕熱試驗箱條件

⑨GT/T2423.3-93、GT/T2423.4-93  濕熱試驗箱條件

 

  

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